BD530
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Beschreibung
Characteristics of the BD530 bipolar transistor

    Type - PNP
    Collector-Emitter Voltage: -100 V
    Collector-Base Voltage: -100 V
    Emitter-Base Voltage: -4 V
    Collector Current: -2 A
    Collector Dissipation - 8 W
    DC Current Gain (hfe) - 30
    Transition Frequency - 100 MHz
    Operating and Storage Junction Temperature Range -55 to +150 °C
    Package - TO-202

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